全球InGaAs探测器市场正因红外成像技术的普及和军事、民用领域需求的提升而迅速发展,特别是在亚太地区,其增长率有望因技术进步和经济增长而显著提升。行业的竞争...
InGaAs是指铟镓砷化合物。InGaAs是一种直接带隙的半导体材料,主要用于制造红外探测器、高速电子器件和激光器等。它在光电领域有广泛的应用,特别是在红外光谱区域...
InGaAs晶体管的一大亮点在于其能够显著缩小芯片的体积,这对于现代电子设备的微型化和高效能运算至关重要。其高效的信息处理能力使得它在探测器领域也表现出色,能...
铟镓砷,很多红外焦平面探测器的名称就是铟镓砷焦平面阵列。
另一种成像探测器是InGaAs线性阵列探测器,特别是适用于近红外波长的NIR256型号。这些探测器由CMOS晶体管电荷放大阵列、移位寄存器和时序产生模块组成,具有极高的...
一种材料, 就是铟砷化镓(InGaAs),电子在InGaAs中的传输速度是硅的数倍。MIT的MTL(微系统实验室)最近演示了用InGaAs制作的晶体管,传输电流是最先进的硅晶体管...
以下是对手持式光功率计技术参数的详细描述:这款光功率计提供了两种型号供选择:BW31A和BW31B。它们的波长测量范围广泛,分别覆盖800至1700纳米,适用于不同光通...
量子点红外探测器QDIP采用多种结构以优化性能,早期常见的是InAs(InGaAs)/GaAs结构。它简单易操作,理论基础广泛,但受限于带隙,探测率提升有限,一般在4~13 μm...
变化到InAs的6.0583Ǻ,禁带宽度从1.43eV变化到0.35eV,相应的,截止波长从0.87μm变化到3.5μm,很好的覆盖了1-3μm的大气窗口,因此是制备短波红外探测...
光子探测器按照其工作原理,可以细分为光电导探测器、光伏探测器、光电磁探测器和量子阱探测器。这些探测器的材料种类丰富,如PbS、PbSe、InSb、HgCdTe(MCT)以及...
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